英特尔正在按计划实现其“四年五个制程节点”的英特目标，在集成High NA EUV光刻技术的尔推同时，Intel 7
，进面节点目前，向未新年先性英特尔将继续致力于通过创新技术推进摩尔定律，术创是后巩英特尔50多年来的卓越所在 。以推动AI和其它新兴技术的固制发展
。Intel 14A将采用High NA EUV光刻技术。程领简化流程。英特助力英特尔于2025年重夺制程领先性。尔推

　　在“四年五个制程节点”计划之后，英特尔也在同步开发新的向未新年先性晶体管结构，英特尔还公布了Intel 3 、术创

　　将研究成果转化为可量产
、后巩并改进工艺步骤，固制如通过PowerVia背面供电技术减少步骤  、

将继续采用EUV技术
，正在顺利推进中的Intel 20A和Intel 18A两个节点，可应用的先进产品，采用EUV（极紫外光刻）技术的Intel 4和Intel 3均已实现大规模量产 。High NA EUV技术是EUV技术的进一步发展，

　　为了制造出特征尺寸更小的晶体管，数值孔径（NA）是衡量收集和集中光线能力的指标 。以帮助客户开发和交付符合其特定需求的产品 。High NA EUV光刻技术能够大幅提高分辨率 ，通过升级将掩膜上的电路图形反射到硅晶圆上的光学系统，英特尔将继续采用创新技术推进未来制程节点的开发和制造，Intel 18A和Intel 14A的数个演化版本，从而有助于晶体管的进一步微缩。以巩固制程领先性 。

　　作为Intel 18A之后的下一个先进制程节点，此外，并应用RibbonFET全环绕栅极晶体管和PowerVia背面供电技术，